TSMC ha pisado el acelerador. Y lo ha hecho porque ve por el retrovisor un Intel que se acerca lanzado.

TSMC comenzará a fabricar circuitos integrados de 1,6 nm en 2026. Esto no es una suposición; Así lo confirmó CC Wei, CEO de la compañía, hace apenas unas horas en el evento North America Technology Symposium celebrado en Santa Clara (California). Este movimiento es mucho más que una declaración de intenciones; Se trata claramente de una llamada de atención a una Intel que está decidida a arrebatarle a TSMC el liderazgo que ostenta actualmente en la industria de los semiconductores.

“Nuestra tecnología mejorará drásticamente la densidad y el rendimiento del chip. […] En TSMC ofrecemos a nuestros clientes el conjunto de tecnologías más completo para que puedan hacer realidad sus proyectos de inteligencia artificial (IA) utilizando la tecnología de silicio más avanzada del mundo”, afirmó Wei durante el evento californiano. Este anuncio pretende llamar la atención en un momento en el que Intel y Samsung están afinando su estrategia para aumentar al máximo su cuota de mercado en detrimento de la de TSMC.

La ambición de Intel ha obligado a TSMC a pisar el acelerador

El plan a corto y medio plazo de Intel para crecer como fabricante de semiconductores sorprende por su gran ambición. Y, curiosamente, en su estrategia tienen un papel protagonista los equipos de ultravioleta extremo (EUV) y litografía de alta apertura que ya fabrica la empresa holandesa ASML. En 2025 se empezarán a realizar las primeras pruebas de producto con esta máquina, aunque los primeros circuitos integrados producidos con ella saldrán del nodo 14A durante 2026.

Ya en 2027 Intel lanzará una revisión presumiblemente mejorada de este nodo que llevará por nombre 14A-E. Estos dos nodos marcarán el inicio de la fabricación de chips utilizando el nuevo equipo de litografía de alta apertura y UVE de ASML. Según Intel estas máquinas ayudará a los fabricantes de circuitos integrados que apuestan por ellos para sostener la ley de Moore por más tiempo. Tanto ASML como Intel sostienen que estas máquinas han sido diseñadas para ayudar a los fabricantes de semiconductores a aumentar la resolución de sus procesos litográficos sin aumentar la complejidad.

El camino que va a seguir TSMC es diferente. Kevin Zhang, vicepresidente de desarrollo de negocio de esta empresa, sostiene que no necesitan el equipo de litografía UVE de alta apertura de ASML para fabricar chips en su nodo A16 (1,6 nm). Es evidente que confían en su capacidad para optimizar los procesos involucrados en la producción de circuitos integrados en máquinas EUV convencionales. A principios de enero, Szeho Ng, analista de China Renaissance, predijo que TSMC no utilizaría el equipo UVE de alta apertura de ASML hasta que presentara su tecnología de integración de 1 nm.

El medio DigiTimes Asia, que suele manejar información muy fiable, se ha mojado y, al igual que Szeho Ng, defiende que TSMC no utilizará los equipos de litografía más avanzados de ASML en sus nodos de 2, 1,6 y 1,4 nm. Si es así, esta decisión tendría repercusiones muy importantes. Por un lado, la postura de TSMC nos recuerda que con los refinamientos adecuados, los equipos de litografía UVE de primera generación pueden utilizarse para producir chips de 2 nm, e incluso más (veremos con qué rendimiento por oblea).

Y, además, si TSMC finalmente confirma esta estrategia, no comenzaría a producir en masa circuitos integrados utilizando la máquina UVE High-NA de ASML hasta finales de esta década. Probablemente hasta 2029 o 2030. Veremos cómo le va a Intel con estos dispositivos. Es posible que si la apuesta de Pat Gelsinger sale bien, esta empresa americana consiga colocar en el mercado chips de última generación a un coste muy competitivo. Precisamente esta es una de las bazas que, según ASML, proponen sus equipos de litografía más avanzados.

Imagen | TSMC

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