TSMC anuncia la fabricación de memorias en 12 y 5 nm

TSMC anuncia la fabricación de memorias en 12 y 5 nm
TSMC anuncia la fabricación de memorias en 12 y 5 nm

TSMC presenta la fabricación de las nuevas memorias HBM4 que se fabricarán con 12 nm y 5 nm. Estas nuevas memorias ofrecerán mayor velocidad y ancho de banda.

HBM4: TSMC anuncia la fabricación de memorias en 12 y 5 nm

Las memorias HBM4 están cumpliendo con las demandas de esas aplicaciones Computación de alto rendimiento (HPC) e inteligencia artificial (IA)los cuales formarán parte de los próximos aceleradores de Nvidia, AMD e Intel en el futuro.

Actualmente, las memorias que se están utilizando son HBM3 y HBM3E, Ofrecen buenas velocidades y ancho de banda de memoria, pero se necesitarán más en el futuro. Ahí es donde entra en juego el HBM4, capaz de ofrecer una 2048 bits y hasta 1,5 TB/s por pila. Esta será utilizada por tareas muy exigentes, como la inteligencia artificial, que suele ocupar todo el ancho de banda de la memoria. Las nuevas memorias también serán más eficientes en términos de consumo eléctrico, por lo que ventajas hay por todos lados.

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TSMC utilizará dos nodos de proceso, que serán N12FFC+ y N5. El proceso N12FFC+ ofrecerá una solución rentable para lograr el rendimiento y el proceso de HBM4 N5 proporcionará aún más lógica y un menor consumo de energía para HBM4. El chip base de TSMC, que será el N12FFC+, se utilizará para instalar pilas de memoria HBM4 en un intercalador de silicio junto con sistemas en chips, más conocidos como SoC. Con estos nuevos recuerdos será posible 12 Hola (48 GB) y 16 Hola (64 GB). Se dice que el ancho de banda de estas memorias alcanzará 2TB/s.

TSMC colabora con fabricantes y socios de EDA como Cadence, Synopsys y Ansys para la producción de estas memorias y garantizar que tengan la mejor integridad de la señal del canal de memoria, precisión térmica y la menor interferencia electromagnética (EMI) en los nuevos troqueles base HBM4. Asimismo, para la integración de estos módulos también se utilizarán las tecnologías CoWoS-L y CoWoS-R.

TSMC también confirma que está colaborando con Micrón para la creación de las matrices base de estas memorias, ya que Micron carece de instalaciones propias para fabricarlas en masa. Se espera que las memorias HBM4 comiencen a utilizarse durante 2025 y 2026.

 
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